类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：15A（连续）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.55Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：TO-247

IXTH15N60具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：漏源电压额定值高达600V，适用于高压电源转换和控制电路。
　　2. 低导通电阻：最大Rds(on)为0.55Ω，降低了导通损耗，提高了能效。
　　3. 高电流承载能力：15A的连续漏极电流，适合中高功率应用。
　　4. 高稳定性栅极结构：栅极电压容限为±30V，提高了器件在复杂工作环境下的可靠性。
　　5. 热稳定性好：良好的热阻特性，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　6. 快速开关特性：具备较快的开关速度，适合高频应用，降低开关损耗。
　　7. 封装设计：TO-247封装具有良好的散热性能，便于与散热片配合使用。
　　8. 保护特性：内置一定的过载和短路保护能力，提高系统的安全性。

IXTH15N60主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC和DC/DC转换器中，提供高效的功率转换。
　　2. 电机控制：用于直流电机驱动、伺服系统和步进电机控制器。
　　3. 工业自动化：在工业设备中用于功率开关和负载控制。
　　4. 逆变器和UPS系统：用于不间断电源和逆变器电路中的功率转换。
　　5. 电焊设备：用于电焊机的功率控制模块。
　　6. 家用电器：用于高功率家用电器如电磁炉、微波炉等的功率控制电路。
　　7. 太阳能逆变器：在太阳能系统中用于将直流电转换为交流电。
　　8. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，确保电池的安全运行。

STP15N60Z, FQA15N60C, IRFP460, IXTP15N60