类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：500V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（在 25°C）：15A
　　最大导通电阻 Rds(on)：0.38Ω（典型值）
　　功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

IXTH15N50A 的核心特性之一是其出色的导通性能和开关效率。其最大导通电阻 Rds(on) 仅为 0.38Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，有助于提高整体系统的能效。此外，该器件支持高达 500V 的漏源电压，使其适用于高压直流和交流电源转换系统。由于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），IXTH15N50A 在高频开关应用中表现良好，减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　另一个显著特点是其热稳定性和耐久性。TO-247 封装设计提供了良好的散热路径，能够在高电流和高温度环境下保持稳定运行。这使得 IXTH15N50A 在高功率密度设计中成为理想选择，尤其是在需要长时间运行和高可靠性的工业和汽车应用中。
　　此外，该器件具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持安全运行，从而提高系统的整体稳定性。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V 至 20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到各种功率电路中。

IXTH15N50A 主要用于需要高电压和高电流开关能力的电力电子系统。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，该器件常用于主开关或同步整流器部分，以提高能量转换效率。此外，它也适用于电动汽车充电器和电能质量调节设备等新兴领域。
　　在电机控制方面，IXTH15N50A 可用于构建 H 桥结构，实现直流电机或步进电机的正反转控制。由于其高耐压和良好的热性能，该器件在高温环境下仍能维持稳定工作，适合用于户外或恶劣工业环境中的设备。
　　在消费类电子产品中，如高功率 LED 驱动器或智能家电中，该 MOSFET 可作为主功率开关，实现高效能和低功耗设计。

IXTH15N50CFD, STP15N50, FQA15N50, IRFP460