类型：MOSFET（N沟道增强型）
　　漏源电压（VDS）：1500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：42A
　　功耗（PD）：310W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.145Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH1542 的核心优势在于其高电压耐受能力和低导通电阻的结合，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的漏源电压高达 1500V，使其适用于高压直流（HVDC）系统、工业电源、电焊设备等高压场合。
　　其次，其导通电阻 RDS(on) 最大仅为 0.145Ω，这意味着在导通状态下，功率损耗较低，有助于提升整体系统效率。
　　此外，IXTH1542 具备良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，确保在极端工作条件下也能保持稳定运行。
　　该器件采用了先进的平面工艺制造，具备出色的短路耐受能力和快速开关特性，适合用于高频开关电源（SMPS）及谐振变换器等应用。
　　其 TO-247 封装结构便于安装和散热管理，适用于标准的散热片安装方式，进一步提升了其在工业环境中的实用性。

IXTH1542 主要应用于需要高压和高功率处理能力的电子系统中。典型应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS 不间断电源、电焊机、感应加热设备、电机驱动器、工业逆变器以及太阳能逆变器等。
　　在太阳能逆变系统中，该器件可用于直流到交流的转换环节，其高耐压和低导通损耗的特性有助于提升系统效率并减少热量产生。
　　在电焊设备中，IXTH1542 的高电流承载能力和良好的热稳定性能够满足高负载工况下的可靠运行需求。
　　此外，该器件也适用于高功率密度设计，例如服务器电源、医疗设备电源以及测试设备中的功率调节模块。

IXFN42N150, IXFH42N150P, STW15NK150Z, IRGP50B150UD