时间：2025/12/24 17:18:53
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IXTH150N17T 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司）制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电压、高电流应用，如电源转换器、电机控制、工业自动化和可再生能源系统。IXTH150N17T 采用了先进的平面沟槽栅极技术，提供了优异的导通和开关性能。该器件的封装为 TO-264，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：1700V
漏极-源极导通电阻(Rds(on))：典型值为0.165Ω
连续漏极电流(Id)：150A
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-264
热阻(Rth)：约0.31°C/W（结到外壳）
导通延迟时间：约35ns
上升时间：约70ns
关断延迟时间：约55ns
下降时间：约35ns
IXTH150N17T MOSFET 具有多种优异的电气和热性能特点，使其适用于高功率密度和高效率的应用场景。其主要特性包括：
1. **高电压耐受能力**：该器件的漏极-源极击穿电压高达 1700V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换和工业控制应用。
2. **低导通电阻**：Rds(on) 典型值为 0.165Ω，降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
3. **高电流承载能力**：最大连续漏极电流为 150A，在高功率应用中表现出色，适用于电机驱动和大功率电源设计。
4. **良好的热性能**：TO-264 封装具有较低的热阻（约 0.31°C/W），可有效将热量从芯片传导至散热器，确保器件在高负载下稳定运行。
5. **优化的开关性能**：该器件具有较快的开关速度，导通延迟时间约为 35ns，上升时间为 70ns，关断延迟时间为 55ns，下降时间为 35ns，适合高频开关应用。
6. **高可靠性**：采用先进的硅工艺和封装技术，确保在恶劣环境下（如高温、高湿度）依然保持稳定性能。
7. **易于并联使用**：由于其正温度系数特性，多个 IXTH150N17T 可以并联使用以提高系统功率容量，而不会产生严重的电流不平衡问题。
IXTH150N17T MOSFET 适用于多种高功率和高电压应用场景，包括：
1. **工业电源和变频器**：用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器，提供高效的功率转换。
2. **电机控制和驱动器**：用于高性能电机驱动系统，如伺服驱动器和变频器。
3. **可再生能源系统**：在太阳能逆变器和风能转换系统中，用于高效的能量转换和管理。
4. **电动汽车和充电设备**：用于车载充电器、DC/DC 转换器和充电桩功率模块。
5. **UPS（不间断电源）系统**：在 UPS 逆变器中提供高效、稳定的功率输出。
6. **电焊机和等离子切割设备**：用于高功率电子负载控制，确保稳定和高效的能量输出。
7. **测试与测量设备**：作为高功率负载开关或功率调节元件使用。
IXFH150N17T, IXTH120N17T, IXFN150N17T, STY150N170K5, STY150N170K5-DK
