时间：2025/8/6 8:27:34
阅读：17
IXTH140P10T是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高耐压、大电流P沟道MOSFET功率晶体管，适用于高功率开关和电源管理应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电压和大电流条件下高效工作。IXTH140P10T通常用于工业电源、直流电机驱动、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统中。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：140A
导通电阻（RDS(on)）：约5.5mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
IXTH140P10T具有多项优异的电气特性，首先其低导通电阻确保了在高电流工作状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的平面MOSFET技术，提供了优异的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下保持良好的性能。该MOSFET具备高电流承受能力，适合用于高功率密度设计。其高耐压特性（100V VDS）使其在多种电源转换器和电机驱动电路中具有广泛的应用潜力。此外，IXTH140P10T的封装形式（TO-247）便于散热管理，适用于需要高可靠性的工业和电源系统。该器件还具有良好的短路耐受能力，增强了整体系统的稳定性和安全性。
另一个重要特性是其栅极驱动电压的灵活性，通常在+10V至+15V之间即可实现完全导通，这使得它能够与多种驱动电路兼容。此外，IXTH140P10T的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率，适用于高频开关应用。由于其高可靠性和高性能，IXTH140P10T广泛应用于工业控制、电力电子、电动汽车和可再生能源系统等领域。
IXTH140P10T主要应用于高功率开关电源、直流电机控制器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、工业自动化设备以及电动汽车充电模块等。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合需要高效率和高可靠性的电源系统。
IXTH140N10T（N沟道版本）、IXTP140P10T、IRF9540N、STP140P10F7AG
