时间：2025/8/5 20:09:06
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IXTH140N075L2是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高效率的电源应用设计。该器件采用先进的Trench技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于工业电机控制、逆变器、电源转换和可再生能源系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：75V
漏极电流（ID）：140A（在25°C）
RDS(on)：最大值为5.5毫欧（典型值为4.8毫欧）
栅极电荷（Qg）：约240nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2-PAK）
功率耗散（PD）：350W
IXTH140N075L2具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够实现较低的导通损耗，从而提高整体效率。
该MOSFET采用了先进的Trench结构技术，优化了器件的导通特性和开关性能，同时减少了开关损耗。
其高电流承载能力和优异的热稳定性使其适用于高功率密度设计。
该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。
TO-263封装形式提供了良好的热管理和便于安装的表面贴装能力，适用于自动化生产流程。
该MOSFET具有良好的抗过载和短路能力，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车应用。
IXTH140N075L2适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
直流电机控制和驱动系统，用于工业自动化和机器人控制
不间断电源（UPS）和逆变器系统，用于数据中心和能源管理系统
电动汽车（EV）充电设备和车载电源转换系统
太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块
高功率DC-DC转换器和负载开关应用
电池管理系统（BMS）中的高电流开关控制
SiPF140N75L, IXTH140N075L2STP, IRFP4468PBF, IPP140N75L3
