IXTH13P25 时间：2025/8/5 14:29:32 阅读：11

IXTH13P25 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 设计用于高效率的功率开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。该器件采用 TO-220 封装，便于散热和安装，适合于工业和消费类电子产品。

参数

类型：P 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：13A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

IXTH13P25 具有低导通电阻，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
　　该器件的高耐压能力（250V VDS）使其适用于多种中高功率应用，如电源开关、电机驱动和逆变器电路。
　　其 ±30V 的栅源电压耐受能力提供了更好的抗电压瞬态能力，增强了器件的可靠性。　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，支持与常见的逻辑电路兼容，简化了驱动电路的设计。

应用

IXTH13P25 主要应用于电源管理系统，如 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和负载开关控制。
　　它适用于工业自动化设备中的电机驱动电路，用于控制直流电机的启停和方向。
　　在 UPS（不间断电源）和逆变器系统中，该器件可作为高效的功率开关元件。
　　此外，它也适用于消费类电子产品中的电池供电管理，如笔记本电脑和便携式设备的电源管理电路。