类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：13A（在TC=100℃时）
　　最大导通电阻（RDS(on)）：0.58Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：65nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装：TO-247

IXTH13N90A具备以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：该MOSFET的漏源击穿电压为900V，适用于高压电源转换和电机控制等应用。其高电压能力使其在离线式开关电源、逆变器和工业控制中表现出色。
　　2. 低导通电阻：典型RDS(on)为0.58Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这使得IXTH13N90A在高功率应用中能够有效减少发热，提升可靠性。
　　3. 高电流承载能力：在TC=100℃条件下，最大漏极电流可达13A，适合需要较高负载能力的电源管理系统。
　　4. 快速开关特性：该器件具有较低的栅极电荷（Qg=65nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高频开关应用。
　　5. 热稳定性好：其封装结构和材料选择确保了良好的热管理性能，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　6. 高可靠性：IXTH13N90A采用了先进的硅技术，具备优异的长期稳定性，适合工业和高可靠性应用场景。

IXTH13N90A广泛应用于以下领域：
　　1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，适用于需要高压和较高效率的电源系统。
　　2. 工业自动化：用于电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）系统等需要高电压和大电流能力的工业设备。
　　3. 照明系统：如LED驱动电源、高压气体放电灯（HID）镇流器等。
　　4. 电池管理系统：用于电池充放电控制、储能系统中的功率开关。
　　5. 新能源设备：如太阳能逆变器、风能变流器等，IXTH13N90A的高耐压和低导通损耗特性非常适合这些新能源应用。
　　6. 通用功率开关：可用于需要高压开关控制的自动化设备和测试仪器。

IXTH14N90A, IXTP13N90A, FCP13N90A, STP13N90DM2, IRFP460A