IXTH12N65X2 时间：2025/8/6 9:57:33 阅读：14

IXTH12N65X2是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有高电压耐受能力、低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（Ptot）：160W
　　输入电容（Ciss）：1500pF
　　

特性

IXTH12N65X2具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其650V的漏源电压使其适用于高电压环境，能够有效处理高输入电压的功率转换任务。其次，该器件的导通电阻仅为0.55Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　此外，IXTH12N65X2采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围为±20V，适用于多种驱动电路设计，并具备良好的抗干扰能力。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了动态响应能力，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　在可靠性方面，IXTH12N65X2的工作温度范围从-55°C到150°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其160W的最大功耗允许在高电流负载下运行，同时保持较低的温升，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。
　　最后，该MOSFET的输入电容为1500pF，使得其在高频开关应用中具有较低的驱动损耗，进一步提升整体效率。

应用

IXTH12N65X2适用于多种高电压和高功率应用，包括但不限于：工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及汽车电子系统。由于其高电压能力和低导通电阻，它特别适合于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。此外，该器件也常用于电力电子设备中的功率因数校正（PFC）电路和高频逆变器拓扑结构。