时间：2025/8/6 8:33:05
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IXTH12N50是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高性能的垂直结构，能够在高电压和高电流条件下稳定运行，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等应用。
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：12A
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻(Rds(on))：最大0.44Ω
封装类型：TO-247
IXTH12N50具有低导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
该器件的高栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现优异，能够有效降低开关损耗。
其坚固的封装结构提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于严苛的工业环境。
此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在高应力条件下的可靠性。
IXTH12N50主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动电路中。
它适用于需要高耐压和大电流能力的功率电子系统，例如工业自动化设备、电动车辆电源管理系统和高功率LED照明系统。
在光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET也常用于实现高效的能量转换和控制。
由于其高可靠性和良好的热性能，IXTH12N50也可用于需要长时间运行和高稳定性的工业控制应用。
IRF840、STP12N50、FQA12N50、IXTH16N50
