类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4.0V（在ID=250μA时）
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH11N80A具有多个关键特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，该MOSFET具备较低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电流工作条件下减少导通损耗，从而提高整体效率。其次，该器件的高耐压能力（800V VDS）使其适用于高压直流（HVDC）转换器、开关电源（SMPS）以及工业电机驱动等应用。
　　此外，IXTH11N80A采用先进的平面工艺技术制造，确保了良好的热性能和高可靠性。其TO-247封装不仅有助于有效散热，还能在高功率应用中保持稳定的工作温度。该器件还具备快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围适中（2.1V至4.0V），使其兼容多种驱动电路设计，包括常见的微控制器和专用驱动IC。同时，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了其在突发电压或电流冲击下的稳定性与耐用性。

IXTH11N80A被广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、工业电机控制、高压电源管理系统、LED照明驱动器以及消费类电子产品中的功率控制电路。由于其高压高电流特性，该MOSFET也常用于工业自动化设备和智能电网相关应用中。

IXTH11N80C, STF11N80M5, FQA11N80C, IRFGB40N80K