时间：2025/8/6 5:07:10
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IXTH11N100 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电压、高功率的开关应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的热性能，适用于电源管理、工业电机控制、DC-DC 转换器以及各种高电压功率转换系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：1000 V
最大漏极电流 Id：11 A
导通电阻 Rds(on)：0.85 Ω @ Vgs = 10 V
栅极电荷 Qg：50 nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
IXTH11N100 具备优异的导通和开关性能，其高耐压能力使其适用于高电压电源系统。该器件的低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 的封装设计具有良好的热管理能力，有助于在高功率操作下保持较低的结温，从而提升器件的可靠性和寿命。
其栅极驱动特性相对稳定，适合与常见的 MOSFET 驱动 IC 配合使用。IXTH11N100 还具备良好的短路耐受能力和抗过载能力，适用于复杂工况下的工业和电力电子应用。
在开关特性方面，该器件的开关损耗较低，有助于提高系统的工作频率和整体效率。同时，其快速恢复的体二极管设计，使其在某些拓扑结构（如反激变换器）中表现出色。
IXTH11N100 主要应用于高压电源、工业电机驱动、DC-DC 转换器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、LED 照明驱动电源以及各种高电压功率控制设备。其高电压能力和良好的导通特性使其在中高功率开关电源中表现优异，特别是在需要高效率和高可靠性的场合，如工业自动化控制系统和电力调节系统中。
IXTH12N100, IXTP14N100C, STF12N100M5, FCP11N100
