时间：2025/8/5 16:33:48
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IXTH10N95A是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和电源转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适合在高压和高功率环境下工作。其封装形式为TO-247，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏极-源极电压（VDS）：950V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：最大值1.2Ω（典型值可能更低）
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：TO-247
IXTH10N95A具有多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。其高漏极-源极电压（950V）使其适用于高电压系统，如开关电源（SMPS）、电机控制和照明镇流器。该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。
此外，IXTH10N95A具备良好的热稳定性，采用TO-247封装可有效散热，延长器件寿命。该器件的栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动IC配合使用，简化电路设计。
其快速开关特性可支持高频操作，适用于DC-DC转换器、逆变器和UPS系统等高频功率转换应用。此外，IXTH10N95A具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。
IXTH10N95A常用于各种高功率电子设备和系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、LED照明系统、工业自动化设备以及高频DC-DC转换器。在这些应用中，该MOSFET能够高效地控制大电流和高电压，确保系统的稳定性和可靠性。
STF10N95A, FQP10N95C, IRF840, IXTH12N95C
