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IXTH10N100D2 发布时间 时间:2025/8/6 7:04:53 查看 阅读:16

IXTH10N100D2是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),设计用于需要高可靠性和高性能的功率应用。这款晶体管采用TO-247封装,具有良好的热性能和电流承载能力。IXTH10N100D2能够在高电压下提供较大的集电极电流,适用于电源转换、电机控制、逆变器和各种工业设备中。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  结构:NPN
  最大集电极-发射极电压(Vce):1000V
  最大集电极电流(Ic):10A
  最大功耗(Ptot):125W
  增益带宽积(fT):5MHz
  封装类型:TO-247

特性

IXTH10N100D2具有出色的电气性能和稳定性,能够在极端工作条件下提供可靠的功率控制。其高电压耐受能力(1000V)使其适用于高压电源和工业设备。此外,该晶体管的最大集电极电流为10A,能够在较宽的温度范围内稳定工作,确保了其在高负载应用中的可靠性。
  该晶体管的TO-247封装提供了良好的散热性能,有助于提高器件的热稳定性和长期可靠性。此外,IXTH10N100D2的增益带宽积为5MHz,适合用于中高频的功率放大和开关应用。该器件的设计确保了在开关过程中较低的开关损耗,从而提高了整体系统效率。
  IXYS公司在制造该晶体管时采用了高质量的半导体材料和先进的制造工艺,确保了器件的高耐用性和一致性。IXTH10N100D2还具有良好的短路和过载保护能力,适用于各种苛刻的工作环境。

应用

IXTH10N100D2广泛应用于电源转换系统、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及各种高压功率电子设备中。其高电压和大电流能力使其成为高压电源开关和放大电路的理想选择。

替代型号

IXTH10N100D2的替代型号包括IXTH10N100D2ST和IXTH10N100D2XK

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IXTH10N100D2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥139.60000管件
  • 系列Depletion
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.5 欧姆 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)200 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5320 pF @ 25 V
  • FET 功能耗尽模式
  • 功率耗散(最大值)695W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3