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IXTH10N100A 发布时间 时间:2025/8/5 16:46:48 查看 阅读:34

IXTH10N100A是一款由Littelfuse(原IXYS公司)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET设计用于高功率开关应用,具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻。它采用TO-247封装形式,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。IXTH10N100A广泛应用于工业控制、电源转换器、电机驱动、不间断电源(UPS)以及其他高功率电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):10A
  漏极-源极电压(VDS):1000V
  栅极-源极电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.75Ω(最大)
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTH10N100A具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其1000V的高漏极-源极击穿电压(VDS)使其适用于高压电源转换系统,如高压DC-DC转换器和逆变器。其次,该器件的低导通电阻(RDS(on))为0.75Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,IXTH10N100A具有较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和集成到PCB电路板上。该器件还具备较强的短路和过载能力,能够承受瞬态高压和大电流冲击,提高了系统的耐用性和安全性。此外,IXTH10N100A的栅极驱动电压范围较宽(±30V),兼容多种驱动电路设计,简化了外围电路的设计复杂度。
  在动态特性方面,IXTH10N100A的开关速度快,具备较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。这使得该器件非常适合用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和电机控制电路。此外,其良好的跨导特性(Transconductance)确保了栅极电压对漏极电流的精确控制,提升了整体系统的控制精度和稳定性。

应用

IXTH10N100A主要应用于需要高压、高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如,它广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)以及工业自动化控制系统中。在太阳能逆变器和电动汽车充电设备中,IXTH10N100A也常用于主功率开关,以实现高效的能量转换。此外,该器件还可用于高频感应加热、电焊机和电镀电源等高功率应用场合。由于其优异的热稳定性和耐久性,IXTH10N100A也被广泛用于恶劣环境下的工业设备中。

替代型号

IXTH10N100AFG, IXTH10N100B, STW10NA100, FQA10N100

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