IXTH10N100A 时间：2025/8/5 16:46:48 阅读：38

IXTH10N100A是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET设计用于高功率开关应用，具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻。它采用TO-247封装形式，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。IXTH10N100A广泛应用于工业控制、电源转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）以及其他高功率电子设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：10A
　　漏极-源极电压（VDS）：1000V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.75Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH10N100A具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其1000V的高漏极-源极击穿电压（VDS）使其适用于高压电源转换系统，如高压DC-DC转换器和逆变器。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）为0.75Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，IXTH10N100A具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到PCB电路板上。该器件还具备较强的短路和过载能力，能够承受瞬态高压和大电流冲击，提高了系统的耐用性和安全性。此外，IXTH10N100A的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，简化了外围电路的设计复杂度。
　　在动态特性方面，IXTH10N100A的开关速度快，具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。这使得该器件非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和电机控制电路。此外，其良好的跨导特性（Transconductance）确保了栅极电压对漏极电流的精确控制，提升了整体系统的控制精度和稳定性。

应用

IXTH10N100A主要应用于需要高压、高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如，它广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中。在太阳能逆变器和电动汽车充电设备中，IXTH10N100A也常用于主功率开关，以实现高效的能量转换。此外，该器件还可用于高频感应加热、电焊机和电镀电源等高功率应用场合。由于其优异的热稳定性和耐久性，IXTH10N100A也被广泛用于恶劣环境下的工业设备中。