IXTH03N400 时间：2025/8/6 8:26:24 阅读：6

IXTH03N400 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路和电源管理系统。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于工业控制、电机驱动、电源转换和不间断电源（UPS）等场景。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 2.0Ω（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：约 420pF
　　开关时间（ton/off）：约 30ns / 90ns

特性

IXTH03N400 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压设计：该 MOSFET 的漏源击穿电压高达 400V，能够在高压环境下稳定工作，适用于开关电源、高压电机驱动等应用。
　　2. 低导通电阻：在 VGS=10V 时，RDS(on) 典型值为 2.0Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关能力：具有较短的开通和关断时间（ton=30ns，toff=90ns），适合高频开关应用场景，如 DC-DC 转换器和逆变器。
　　4. 高功率耗散能力：最大功耗为 125W，配合散热片可有效应对高功率负载。
　　5. TO-220AB 封装：该封装形式具有良好的散热性能，便于安装和散热管理，适用于各种工业级电路设计。
　　6. 高可靠性：器件设计符合工业标准，具有良好的热稳定性和长期工作可靠性，适合在严苛环境下使用。
　　7. 输入电容较低：Ciss 为 420pF，有助于减少驱动电路的负担，提高开关速度。
　　8. 栅极驱动兼容性：栅极电压范围为 ±20V，可与多种驱动 IC 和控制器兼容，便于系统集成。

应用

IXTH03N400 适用于多种高功率和高压电子系统，包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-AC 或 DC-DC 转换器中的主开关器件，提高转换效率并减小体积。
　　2. 电机驱动器：用于直流电机、步进电机或伺服电机的控制电路中，实现高效调速与方向控制。
　　3. 不间断电源（UPS）：在 UPS 的逆变电路中作为核心开关元件，实现直流到交流的高效转换。
　　4. 工业自动化控制：用于工业继电器、PLC 输出模块和智能配电系统中。
　　5. 照明系统：用于 HID 灯、LED 驱动电源等高压照明设备的功率调节。
　　6. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、家用电器变频控制中作为功率开关使用。
　　7. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组的充放电控制电路中。
　　8. 电力电子测试设备：作为测试平台中的功率开关元件，用于模拟各种负载条件。