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IXTF250N075T 发布时间 时间:2025/8/6 6:54:39 查看 阅读:25

IXTF250N075T 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能,适用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化设备等场合。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):250A
  最大漏源电压(VDS):75V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大3.7毫欧(典型值3.2毫欧)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263(D2-PAK)
  安装方式:表面贴装
  功率耗散(PD):400W
  热阻(RθJC):0.31°C/W

特性

IXTF250N075T 的核心特性之一是其极低的导通电阻,使得在高电流条件下导通损耗大大降低,从而提高系统效率。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术,具有优异的开关性能,能够实现快速导通和关断,减少开关损耗。
  此外,该器件具有较高的电流承受能力,在极端负载条件下仍能保持稳定运行。其 TO-263 表面贴装封装不仅便于自动化生产,还具备良好的热管理能力,有助于热量从芯片传导至 PCB 或散热片。
  IXTF250N075T 还具备较强的抗雪崩能力,能够在非正常工作条件下提供额外的保护。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,支持直接由微控制器或驱动 IC 控制,简化了电路设计。
  由于其出色的电气性能和可靠性,IXTF250N075T 被广泛用于高功率密度应用中,如 DC-DC 转换器、同步整流器、电动工具、电动车辆电源系统、工业电机控制和太阳能逆变器等。

应用

IXTF250N075T 主要应用于需要高效率、高电流和高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括:电源管理系统(如服务器电源、电信电源)、DC-DC 转换器、同步整流模块、电机驱动器、电池充电器与管理系统(BMS)、电动工具和电动汽车的辅助电源系统。此外,该器件也适用于工业自动化控制系统中的高边或低边开关,以及需要高功率密度和快速开关响应的逆变器和变频器设备。

替代型号

IXFH250N075T, IXTK250N075T, IXTP250N075T

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IXTF250N075T参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9900pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳i4-Pac?-5
  • 供应商设备封装ISOPLUS i4-PAC?
  • 包装管件