时间：2025/8/6 9:10:42
阅读：11
IXTC75N10是一款由Infineon Technologies生产的高性能N沟道功率MOSFET，具有高电流能力和低导通电阻的特点，适用于多种功率转换和电机控制应用。该器件采用了先进的沟槽技术，使其在导通状态下的电压降更低，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，IXTC75N10具备较高的热稳定性，适合在高温环境下运行。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：75A
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为12.5mΩ（典型值可能更低）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：300W
IXTC75N10具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其高电流容量使其适合用于高功率密度设计。该MOSFET采用先进的封装技术，增强了散热性能，能够在较高的环境温度下稳定运行。此外，IXTC75N10具备良好的抗雪崩能力，确保在高压开关应用中的可靠性。它还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机驱动器。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平控制，简化了驱动电路的设计。此外，IXTC75N10的热阻较低，使得热量更容易从芯片传导到散热器，进一步提高系统的稳定性。其高耐用性和可靠性使其广泛应用于工业自动化、汽车电子和消费类电源管理领域。
IXTC75N10常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、太阳能逆变器以及各种类型的功率开关电路中。由于其高电流和高耐压特性，该器件也适用于电动工具、电动车辆和工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF3710, STP75NF75, FDP75N10
