时间：2025/8/6 4:38:51
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IXTC36P15P是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高电流和高功率应用。该器件设计用于高效能的电源转换系统，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高功率密度应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：约5.5mΩ（典型值，取决于Vgs）
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247AC
IXTC36P15P具备多项优秀特性，首先其低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有高电流承载能力，适合用于大功率负载的应用。此外，该器件采用了先进的平面技术，提供了良好的热稳定性和可靠性。其高耐压能力（150V）使得其适用于中高压系统。TO-247封装有助于散热，确保在高负载条件下稳定运行。另外，该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与控制器连接。
IXTC36P15P广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
1. 电源供应器中的DC-DC转换器和平稳电流输出。
2. 电机驱动和控制电路，如工业自动化设备和机器人。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换。
4. 电池管理系统，例如电动汽车和储能设备中的充放电控制。
5. 高功率LED照明驱动电路。
6. 工业自动化设备中的高功率开关控制。
IXFH36N150P, IXFN36N150P
