时间：2025/8/5 19:04:19
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IXTC200N075T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于如电源转换器、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等多种高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A
最大漏源电压（VDS）：75V
导通电阻（RDS(on)）：约3.7mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：10V
最大功率耗散（PD）：400W
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTC200N075T具有极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力确保了在大功率应用中的稳定性。此外，该器件具备快速开关特性，使其适合高频操作，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高设计的紧凑性。
该MOSFET采用了先进的封装技术，确保良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度设计。其坚固的结构和高雪崩能量耐受能力也提高了器件的可靠性和寿命。
此外，IXTC200N075T还具有良好的栅极电荷特性，有助于降低驱动损耗，进一步提升整体系统效率。
IXTC200N075T广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化和控制系统。由于其高效率和高可靠性，它也非常适合用于电动汽车和储能系统中的功率转换模块。
IRF1405, SiR140DP, IXTP200N075T
