时间：2025/8/6 6:06:37
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IXTC180N085T 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高效能电源管理领域。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统以及工业自动化设备等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：80V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大8.5mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：280W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXTC180N085T 的主要特性之一是其超低导通电阻，最大仅为 8.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅技术，确保了优异的开关性能和稳定的栅极控制。此外，其封装设计优化了热管理能力，使得在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高了可靠性和寿命。
该 MOSFET 还具备高雪崩能量承受能力，能够在突发短路或感性负载切换等异常条件下提供更强的保护。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也增强了在高电压驱动条件下的稳定性，防止栅极氧化层击穿。TO-263（D2PAK）封装形式支持表面贴装，便于自动化生产并提升 PCB 空间利用率。
在动态性能方面，IXTC180N085T 具有快速开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其低栅极电荷（Qg）特性也使得驱动电路设计更加简单高效。同时，该器件符合 RoHS 标准，支持绿色环保制造。
IXTC180N085T 广泛应用于多个领域，包括但不限于：高效 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动系统、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化控制设备以及高功率 LED 照明驱动器等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。
在电动车和新能源系统中，该器件常用于电池充放电管理电路、电机控制器和逆变器模块中。此外，在服务器电源、通信电源、工业电源模块等领域，IXTC180N085T 也因其优异的热性能和高可靠性而受到广泛欢迎。
IXTC180N085T4, IXTK180N085T, IXTA180N085T
