时间：2025/8/6 2:34:59
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IXTC180N055T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电流和高效率的功率应用，具备低导通电阻、高耐压和优异的热性能。这款MOSFET采用TO-220封装，适用于各种电源管理和电机控制场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：180A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：250W
漏极电容(Coss)：约3000pF
栅极电荷(Qg)：约180nC
IXTC180N055T具备非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的高电流承载能力使其非常适合用于大功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。
该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。其高耐压能力（55V）允许其在多种电压环境下使用，增强了设计的灵活性。
此外，IXTC180N055T还具备快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了动态响应能力。这对于需要频繁开关的高频应用尤为重要，例如同步整流和脉宽调制（PWM）控制电路。
该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于恶劣工作环境下的工业和汽车电子系统。
IXTC180N055T广泛应用于各种高功率电子系统中，例如电动车辆的电源管理系统、工业电机驱动器、大功率DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统。此外，它也可用于高电流负载开关、电池充电器以及太阳能逆变器等应用中。由于其出色的导通性能和热管理能力，该MOSFET非常适合用于需要高可靠性和高效能的电源设计。
IRF1405, SiR180DP, IPW180N055C3, STD180N5F7
