时间：2025/8/5 16:27:19
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IXTC160N085T是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率的应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和出色的热性能，适合用于电源管理和功率转换系统。其主要特点是能够在高频率下运行，同时保持较低的开关损耗，这使其成为许多高性能功率应用的理想选择。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏-源电压（VDS）：85V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约3.8mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTC160N085T的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高效率。此外，该器件具有高耐压能力，使其能够在相对较高的电压下工作而不会发生击穿。该MOSFET还具有良好的热稳定性，其封装设计优化了热传导，从而能够有效地散热。这使其在高负载条件下也能保持稳定的工作状态。另外，该器件支持高频率操作，适用于需要快速开关的应用场景。
IXTC160N085T广泛应用于各种电力电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及工业自动化和控制系统。其高电流处理能力和低导通电阻也使其成为电动工具、电动车辆和可再生能源系统中的理想选择。
SiHF160N08YT, FDBL160N08A0
