时间：2025/8/6 7:43:52
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IXTC13N50 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流应用。该器件采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于开关电源、电机控制、逆变器和功率转换系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
IXTC13N50 MOSFET 的主要特性之一是其高耐压能力，能够承受高达 500V 的漏源电压，使其适用于中高功率电源系统。该器件的连续漏极电流为 13A，足以应对许多需要较高电流负载的应用。栅源电压范围为 ±30V，允许较宽的驱动电压范围，同时具备较强的抗干扰能力。其导通电阻为 0.38Ω，在 VGS 为 10V 时可提供较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力，适合在较为严苛的环境中运行。该封装形式也便于安装在散热片上，进一步提升热管理性能。
IXTC13N50 具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其内部结构设计优化，减少了开关过程中的能量损耗，并降低了电磁干扰（EMI）。此外，该 MOSFET 还具有较高的可靠性，适用于工业控制、自动化设备、电源适配器以及消费类电子产品的功率管理模块。
IXTC13N50 主要应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-AC 逆变器、DC-DC 转换器、电池管理系统、UPS（不间断电源）以及电机控制电路等。其高电压和中等电流能力使其在工业自动化、照明控制、家用电器和电源管理模块中广泛应用。例如，在开关电源设计中，IXTC13N50 可作为主开关器件，负责将输入的直流电压转换为高频脉冲信号，再通过变压器进行电压变换和隔离。在逆变器系统中，该器件可用于将直流电源转换为交流输出，适用于太阳能逆变器或不间断电源系统。此外，该 MOSFET 也可用于 LED 照明驱动、电源适配器和充电器等产品中。
IRFBC40, FDPF13N50, STF13N50M, TK13A50D
