时间：2025/8/6 4:31:08
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IXTA8N65X2是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压特性以及优异的热性能，适合用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
漏极电流(Id)：8A（连续）
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
IXTA8N65X2采用了先进的平面技术，具备高耐压和低导通电阻的双重优势，从而降低了导通损耗并提高了效率。该器件具有快速开关特性，能够适应高频工作环境，减少开关损耗。此外，该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，确保在恶劣工作条件下也能稳定运行。
其封装形式为TO-220AB，便于散热和安装，适用于各种功率电子设备。由于其高可靠性和优异的电气性能，IXTA8N65X2被广泛应用于电源适配器、UPS系统、光伏逆变器、电动汽车充电设备等高要求场景中。
IXTA8N65X2主要用于需要高压和中等电流处理能力的功率电子系统。常见应用包括AC-DC电源转换器、DC-DC降压/升压转换器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备、电机驱动器、电焊机以及新能源汽车充电系统。在这些应用中，IXTA8N65X2能够提供高效的能量转换和稳定的性能表现。
STP8NM65N, IRF8N65C3, FDPF8N65S
