IXTA76N075T 时间：2025/8/6 11:50:47 阅读：23

IXTA76N075T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高功率开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器和负载开关等应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：75V
　　漏极电流（ID）：76A（连续）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约 2.2V 至 4.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 3.5mΩ（典型值，VGS = 10V）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

特性

IXTA76N075T 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，提高了芯片的载流能力，并优化了热管理性能。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性，工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。其 TO-263 封装形式便于表面贴装，增强了产品的可靠性和组装效率。
　　IXTA76N075T 还具备良好的开关特性，栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，从而提升整体系统性能。内置的体二极管也提供了反向电流保护，适用于电感性负载的控制。
　　该 MOSFET 的设计考虑了高可靠性和长寿命，符合 RoHS 环保标准，并具备良好的抗静电能力。

应用

IXTA76N075T 广泛应用于多种高功率电子系统中，例如：DC-DC 转换器中的高侧和低侧开关、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制电路、电源管理系统以及电动汽车和充电设备中的功率控制模块等。由于其高效率和良好的热管理性能，该器件也常用于高频开关电源和高密度电源模块设计中。