时间：2025/8/5 18:50:56
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IXTA62N25T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件以其高效、低导通电阻和高可靠性著称，适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理电路。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：62A
最大漏源电压（VDS）：250V
导通电阻（RDS(on)）：0.11Ω
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：300W
IXTA62N25T 的关键特性之一是其低导通电阻（RDS(on)）为 0.11Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。这种特性对于高电流应用尤为重要，例如在电源转换器和电机控制电路中。
此外，该 MOSFET 的最大漏极电流为 62A，能够在高负载条件下提供稳定的性能。其最大漏源电压为 250V，使得该器件适用于多种高压应用。栅极电压范围为 ±20V，确保了器件在各种驱动条件下都能可靠工作。
IXTA62N25T 采用 TO-220 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。器件的功率耗散能力为 300W，能够在高功率环境下保持稳定运行。
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，能够在极端环境下正常工作。这种特性使其非常适合用于工业设备和汽车电子系统。
IXTA62N25T 常用于各种高功率应用，包括电源转换器、电机控制器、开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。其高电流和高压特性使其成为电力电子设备中不可或缺的组件。此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品中的功率管理电路，例如在电动工具、电动自行车和家用电器中。
IXTA62N25
