时间：2025/8/5 22:21:35
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IXTA60N60T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET晶体管，适用于需要高效能和高可靠性的电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
IXTA60N60T具有低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高效率。其高耐压能力使其适用于高压电源转换系统。该MOSFET具有良好的热稳定性，可以在高负载条件下保持稳定运行。此外，TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率应用中的可靠性。
此外，IXTA60N60T具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，减少开关损耗。该器件还具有较高的短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。其栅极驱动要求较低，兼容标准的驱动电路，简化了设计和应用。
由于其优异的性能和可靠性，IXTA60N60T广泛应用于电源适配器、电机驱动、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中。
IXTA60N60T适用于各种高功率电子设备，包括电源转换器、电机控制器、UPS系统、工业电源和逆变器。此外，该MOSFET也常用于电信设备、LED照明驱动和家用电器中的功率管理模块。
IXFH60N60P, IRFP460, STW45NM60ND, FDPF60N60
