时间：2025/8/6 4:48:04
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IXTA4N80是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压和高功率的开关应用中。这款器件由Ixys公司制造，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性，适用于电源转换器、电机控制、照明系统和各种工业电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏极-源极电压（VDS）：800V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（最大）
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
IXTA4N80具备多种优异的电气和热性能，适合高功率应用。其高击穿电压（800V）使其能够承受高压环境下的工作条件，确保器件在恶劣环境下的可靠性。该器件的低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，IXTA4N80的快速开关能力降低了开关损耗，有助于提高电源转换器的效率。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
其栅极驱动特性稳定，能够在较宽的栅极电压范围内正常工作，提供稳定的导通和关断性能。IXTA4N80还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于频繁开关和高应力工作条件。
IXTA4N80广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统（如HID灯镇流器）以及工业自动化设备。它也常用于高压直流电源管理、不间断电源（UPS）系统和电池充电器中。
STP4NK80Z, FQA4N80C, 2SK2141
