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IXTA42N28P 发布时间 时间:2025/8/5 17:59:21 查看 阅读:20

IXTA42N28P 是一款由 Littelfuse 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高电流和高效率的应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适用于各种功率转换和控制电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:42A
  最大漏源电压:28V
  最大栅源电压:20V
  导通电阻(Rds(on)):约4.8mΩ
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

IXTA42N28P 的核心特性在于其低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗并提高整体效率。其4.8mΩ的Rds(on)在同类器件中表现优异,适合用于高电流负载的场合。该MOSFET的漏源电压为28V,支持中等电压应用,同时具备较高的热稳定性和可靠性。
  此外,IXTA42N28P 采用 TO-263(D2PAK)表面贴装封装,具有良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。其工作温度范围宽,从-55°C到175°C,适合在严苛环境中运行。器件还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高系统效率。
  由于其优异的电气特性和热性能,IXTA42N28P广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理、电池充电系统和各种高电流负载切换场合。此外,其封装形式也适合自动化生产流程,提高制造效率。

应用

IXTA42N28P 主要用于需要高电流和高效率的功率管理应用。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、电源开关、负载开关和工业控制系统。此外,该器件也适用于汽车电子系统、电源管理和便携式设备中的高功率密度设计。

替代型号

IRF4227, IXL42N28P, IXTK42N28P

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