时间：2025/8/5 15:42:03
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IXTA3N100D2-TRL 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用 TO-220 封装，具备低导通电阻和高耐压能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（ID）：3A
漏极-源极电压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 2.8Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
IXTA3N100D2-TRL 具备多个关键特性，使其在功率电子设计中备受青睐。首先，该器件的导通电阻较低，最大为 2.8Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，其漏极-源极电压额定值为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。栅极-源极电压范围为 ±20V，提供良好的栅极驱动兼容性，便于与多种驱动电路配合使用。此外，该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具备良好的热性能和机械稳定性，确保在高功率密度环境下的可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在极端温度条件下使用。IXTA3N100D2-TRL 还具备快速开关特性，减少开关损耗，提高整体系统性能。这些特性使得该器件在开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及电池管理系统中表现出色。
该 MOSFET 设计上采用了先进的制造工艺，确保在高电流和高电压下稳定运行。同时，其内部结构优化了电场分布，减少了热阻，从而提升了热管理性能。IXTA3N100D2-TRL 在高频应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提升整体系统效率。此外，该器件的封装设计考虑了散热需求，确保在高负载条件下仍能保持良好的温度控制。其低栅极电荷特性进一步优化了开关速度，减少了驱动电路的负担。综上所述，IXTA3N100D2-TRL 是一款高性能的功率 MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用。
IXTA3N100D2-TRL 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制电路、电池管理系统以及功率因数校正电路等。其低导通电阻和高耐压特性使其在需要高效能和高可靠性的电源设计中表现优异。
SiA442DK, FQP3N10, IRFR3708
