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IXTA380N036T4-7-TR 发布时间 时间:2025/8/5 20:24:39 查看 阅读:26

IXTA380N036T4-7-TR是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频率应用。该MOSFET采用先进的Trench技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电系统等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):380A
  漏源电压(VDS):36V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ(最大)
  功率耗散(PD):500W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXTA380N036T4-7-TR MOSFET具有多个高性能特性。首先,其极低的导通电阻(RDS(on))为3.6mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件采用Trench工艺,优化了开关性能,使其在高频率应用中表现出色。此外,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
  这款MOSFET还具备良好的热管理性能,能够在高功率密度设计中保持稳定运行。其封装设计有助于高效的散热,确保在恶劣工作条件下也能保持较低的工作温度。栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V至20V驱动电路,适用于多种功率转换拓扑结构。

应用

IXTA380N036T4-7-TR MOSFET适用于多种高功率电子系统。常见的应用包括大功率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高频开关能力和低导通损耗,它也广泛用于谐振转换器和高效电源供应器设计。

替代型号

IXTA380N036T4-7-TR的替代型号包括IXTA340N036T4-7-TR、IXTA400N036T4-7-TR以及SiC或GaN功率晶体管如Cree的C2M0035120K和英飞凌的BSM380D12P2C006。

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IXTA380N036T4-7-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格800 : ¥34.04168卷带(TR)
  • 系列Trench
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)36 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)380A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)260 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13400 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)480W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263-7(IXTA)
  • 封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)