时间：2025/8/5 20:24:39
阅读：28
IXTA380N036T4-7-TR是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率应用。该MOSFET采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：380A
漏源电压（VDS）：36V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.6mΩ（最大）
功率耗散（PD）：500W
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTA380N036T4-7-TR MOSFET具有多个高性能特性。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）为3.6mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用Trench工艺，优化了开关性能，使其在高频率应用中表现出色。此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
这款MOSFET还具备良好的热管理性能，能够在高功率密度设计中保持稳定运行。其封装设计有助于高效的散热，确保在恶劣工作条件下也能保持较低的工作温度。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至20V驱动电路，适用于多种功率转换拓扑结构。
IXTA380N036T4-7-TR MOSFET适用于多种高功率电子系统。常见的应用包括大功率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高频开关能力和低导通损耗，它也广泛用于谐振转换器和高效电源供应器设计。
IXTA380N036T4-7-TR的替代型号包括IXTA340N036T4-7-TR、IXTA400N036T4-7-TR以及SiC或GaN功率晶体管如Cree的C2M0035120K和英飞凌的BSM380D12P2C006。
