IXTA380N036T4-7-TR是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频率应用。该MOSFET采用先进的Trench技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电系统等应用。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):380A
漏源电压(VDS):36V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ(最大)
功率耗散(PD):500W
工作温度范围:-55°C至175°C
IXTA380N036T4-7-TR MOSFET具有多个高性能特性。首先,其极低的导通电阻(RDS(on))为3.6mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件采用Trench工艺,优化了开关性能,使其在高频率应用中表现出色。此外,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
这款MOSFET还具备良好的热管理性能,能够在高功率密度设计中保持稳定运行。其封装设计有助于高效的散热,确保在恶劣工作条件下也能保持较低的工作温度。栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V至20V驱动电路,适用于多种功率转换拓扑结构。
IXTA380N036T4-7-TR MOSFET适用于多种高功率电子系统。常见的应用包括大功率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高频开关能力和低导通损耗,它也广泛用于谐振转换器和高效电源供应器设计。
IXTA380N036T4-7-TR的替代型号包括IXTA340N036T4-7-TR、IXTA400N036T4-7-TR以及SiC或GaN功率晶体管如Cree的C2M0035120K和英飞凌的BSM380D12P2C006。