时间：2025/8/5 22:35:22
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IXTA36N30T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种高功率和高频率的电子设备中。该MOSFET采用先进的平面技术，提供卓越的性能和可靠性。
类型：N沟道
漏极电流(Id)：36A
漏极-源极电压(Vds)：300V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：0.085Ω
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散：100W
IXTA36N30T具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点，使其在高功率应用中表现出色。其先进的平面技术不仅提高了器件的稳定性和可靠性，还降低了开关损耗，提高了能效。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
该器件的封装形式为TO-220AB，便于散热和安装，适用于多种电路设计。其高栅极绝缘性能和抗静电能力也使其在复杂电磁环境中具备良好的适应性。由于其优异的电气特性和可靠性，IXTA36N30T广泛用于电源管理、电机控制、工业自动化和消费类电子产品中。
IXTA36N30T常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明设备以及各种高功率电子系统中。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。
IXTA36N30T的替代型号包括IXTA36N30、IXTA36N30TH，以及来自其他厂商的类似规格器件如IRF360、IRF360B等。
