时间：2025/8/5 17:06:23
阅读：24
IXTA36N30P-TRL 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高效率的应用设计。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于各种电源管理和功率转换电路。IXTA36N30P-TRL 的额定漏极电流为 36A，最大漏源电压为 300V，适用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子产品。
漏源电压(Vds)：300V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：55mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：200W
IXTA36N30P-TRL 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，该器件的高漏源电压额定值使其适用于高电压应用。由于其 TO-220 封装设计，IXTA36N30P-TRL 能够有效地散热，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件的高栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现优异，同时具有较低的开关损耗。此外，IXTA36N30P-TRL 还具备良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
另一个重要特性是其强大的短路和过载保护能力，使其在工业电机驱动和电源供应器等应用中表现出色。该器件的耐用性和稳定性使其成为许多高功率应用的首选解决方案。
IXTA36N30P-TRL 广泛应用于多种高功率电子设备中，包括电源供应器、电机驱动器、电池充电器、逆变器和 DC-DC 转换器。在工业自动化系统中，该器件可用于控制电机和执行器的功率输出。在消费类电子产品中，如高功率 LED 照明系统和家用电器，IXTA36N30P-TRL 也被用于高效能电源管理。此外，该器件还可用于新能源系统，如太阳能逆变器和风力发电设备，以提高能源转换效率。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于电动车辆的电池管理系统和车载充电器。
IXTA40N30P-TRL, IXTA36N35P-TRL, FQA36N30C
