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IXTA32P20T-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 19:27:45 查看 阅读:21

IXTA32P20T-TRL 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET,设计用于高效能功率管理应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻和高功率密度,适用于需要高效能和紧凑设计的电路。其封装形式为 TO-220AB,适合于需要良好散热性能的应用场景。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  最大漏源电压 (Vds):200V
  最大栅源电压 (Vgs):±20V
  最大连续漏极电流 (Id):32A
  导通电阻 (Rds(on)):58mΩ @ Vgs = 10V
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

IXTA32P20T-TRL 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的功耗和发热。其 58mΩ 的 Rds(on) 值在 Vgs = 10V 时表现出色,能够显著减少导通状态下的功率损耗。此外,该器件的高耐压能力(200V)使其适用于多种高电压环境,例如工业电源、电机控制和电池管理系统等。
  另一个重要特性是其高电流承载能力,最大连续漏极电流可达 32A,使得该 MOSFET 能够应对高负载需求。同时,其 ±20V 的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性,允许使用不同的驱动电路方案。此外,该器件的工作温度范围宽广(-55°C 至 175°C),使其能够在严苛的温度环境中稳定运行。

应用

IXTA32P20T-TRL 主要应用于需要高效功率管理的场合,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统(BMS)等。由于其高耐压和高电流能力,该器件特别适合用于工业自动化控制系统和新能源设备,如太阳能逆变器和储能系统。此外,该 MOSFET 还适用于电动工具、电动车控制器等需要高可靠性和高效率的电子产品中。
  在消费类电子产品中,该器件也可用于高性能电源管理模块,例如笔记本电脑的充电电路和高功率 LED 照明系统。其低导通电阻和高效率特性使得这些设备能够在有限的散热条件下保持稳定运行。

替代型号

IXTA32P20T, IXTA32P20M, IXTA32P20MH1

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IXTA32P20T-TRL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格800 : ¥47.58384卷带(TR)
  • 系列TrenchP?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)130 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)185 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)14500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263(D2Pak)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB