IXTA32P20T-TRL 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET,设计用于高效能功率管理应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻和高功率密度,适用于需要高效能和紧凑设计的电路。其封装形式为 TO-220AB,适合于需要良好散热性能的应用场景。
类型:P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):200V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
最大连续漏极电流 (Id):32A
导通电阻 (Rds(on)):58mΩ @ Vgs = 10V
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220AB
IXTA32P20T-TRL 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得该器件在高电流应用中能够保持较低的功耗和发热。其 58mΩ 的 Rds(on) 值在 Vgs = 10V 时表现出色,能够显著减少导通状态下的功率损耗。此外,该器件的高耐压能力(200V)使其适用于多种高电压环境,例如工业电源、电机控制和电池管理系统等。
另一个重要特性是其高电流承载能力,最大连续漏极电流可达 32A,使得该 MOSFET 能够应对高负载需求。同时,其 ±20V 的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性,允许使用不同的驱动电路方案。此外,该器件的工作温度范围宽广(-55°C 至 175°C),使其能够在严苛的温度环境中稳定运行。
IXTA32P20T-TRL 主要应用于需要高效功率管理的场合,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统(BMS)等。由于其高耐压和高电流能力,该器件特别适合用于工业自动化控制系统和新能源设备,如太阳能逆变器和储能系统。此外,该 MOSFET 还适用于电动工具、电动车控制器等需要高可靠性和高效率的电子产品中。
在消费类电子产品中,该器件也可用于高性能电源管理模块,例如笔记本电脑的充电电路和高功率 LED 照明系统。其低导通电阻和高效率特性使得这些设备能够在有限的散热条件下保持稳定运行。
IXTA32P20T, IXTA32P20M, IXTA32P20MH1