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IXTA270N04T4-7 发布时间 时间:2025/8/5 21:44:58 查看 阅读:16

IXTA270N04T4-7 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电流、低导通电阻和快速开关应用设计。该器件适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和工业自动化等高功率电子系统。其封装形式为 TO-263(D2-PAK),具备良好的热性能和机械稳定性,适合表面贴装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):270A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为 1.25mΩ(典型值约为 1.0mΩ)
  功率耗散(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IXTA270N04T4-7 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有高电流承载能力,额定连续漏极电流为 270A,适用于高功率密度设计。
  另一个关键特性是其快速开关能力,具有较低的输入电容(Ciss)和门电荷(Qg),有助于减少开关过程中的能量损耗,提高整体性能。同时,该 MOSFET 采用先进的沟槽式 MOS 技术,优化了电场分布,增强了器件的可靠性和耐用性。
  在封装方面,TO-263(D2-PAK)封装提供了良好的散热性能,使得该器件能够在高功率环境下稳定运行。该封装也便于 PCB 布局和自动化生产,适合大批量应用。
  此外,IXTA270N04T4-7 还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,能够在恶劣的工作条件下保持稳定的性能。其工作温度范围宽,从 -55°C 到 +175°C,适用于各种工业和汽车电子应用。

应用

IXTA270N04T4-7 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理系统中,它常用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关,其低导通电阻和高电流能力有助于提高电源转换效率。
  在电机控制领域,该器件可用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机,其快速开关特性和高电流承载能力使其成为高性能电机控制的理想选择。
  此外,IXTA270N04T4-7 也常用于电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
  在汽车电子方面,该 MOSFET 可用于车载电源系统、车载充电器(OBC)和起停系统等应用,满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的要求。
  由于其优异的热管理和电气性能,该器件也广泛应用于服务器电源、通信设备电源和工业逆变器等高功率密度系统。

替代型号

IXTA270N04T4-7 的替代型号包括 IXTH270N04T4 和 IXFN270N04T4,它们具有类似的电气特性和封装形式,可根据具体应用需求进行选型替换。

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IXTA270N04T4-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格50 : ¥32.43720管件
  • 系列Trench
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.2 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)182 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)9140 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263-7(IXTA)
  • 封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)