类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 0.095 Ω @ VGS = -10V
　　热阻（RthJC）：1.2 °C/W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-220

IXTA26P20T 具有低导通电阻的特点，这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。其高耐压能力（200V）使其适用于中高压功率转换应用。此外，该器件的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，能够有效管理热应力并确保长期稳定性。
　　该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在高应力条件下保持可靠运行。栅极驱动要求较低，适合与常见的驱动电路配合使用。IXTA26P20T 设计有较高的短路耐受能力，使其在严苛的工作环境中依然保持稳定性能。
　　该器件的可靠性较高，符合工业级标准，适合用于高要求的应用场景。同时，其封装符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子制造的环保需求。

IXTA26P20T 主要用于需要高耐压和大电流能力的功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流电机驱动、电池管理系统（BMS）、逆变器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外，它也可用于电信设备、电动汽车充电系统和可再生能源转换系统中。
　　由于其低导通电阻和高效率特性，IXTA26P20T 特别适合用于需要高能效和紧凑设计的 DC-DC 转换器和同步整流器电路。在电机控制和负载开关应用中，该器件能够提供稳定的导通状态和快速的开关响应，确保系统运行的可靠性。
　　该 MOSFET 在电池管理系统中可作为高侧或低侧开关，用于控制电池的充放电过程。在太阳能逆变器和储能系统中，IXTA26P20T 可用于实现高效的功率转换。

IXTP26P20T, IXTS26P20T, FDP26P20