时间：2025/8/5 21:35:07
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IXTA26P20是一款由IXYS公司生产的P沟道增强型功率MOSFET晶体管，主要用于高功率应用领域，例如电源管理、电机控制和逆变器设计。该器件具有高电流容量和低导通电阻，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.12Ω
栅极电荷(Qg)：约65nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXTA26P20的主要特点包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，它具备高电流容量和良好的热性能，使其能够在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET还具有出色的雪崩能量耐受能力，这确保了在异常工作条件下器件的可靠性。TO-263封装设计提供了良好的散热性能，并且适用于表面贴装工艺，便于集成到紧凑的电路板设计中。
其栅极驱动要求较低，支持快速开关操作，同时减少了开关损耗。这使得IXTA26P20非常适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和电机驱动器。
IXTA26P20广泛应用于多个领域，包括工业电源、太阳能逆变器、电机控制、电池管理系统以及汽车电子。在这些应用中，该器件能够提供高可靠性和高效率的功率控制解决方案。它也适用于需要高功率密度和高稳定性的开关电源（SMPS）设计。
IRF9Z34N, FDP26P20, STP26P20
