IXTA24N65X2 时间：2025/8/6 2:38:20 阅读：15

IXTA24N65X2 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高功率 N 沟道 MOSFET，广泛用于高效率电源转换系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和逆变器。该器件采用先进的 HEXFET 技术，具有低导通电阻、高雪崩能量能力和出色的热性能，适合在高电压、高电流环境下工作。IXTA24N65X2 是 TO-262 封装的晶体管，具备良好的散热性能，适用于工业级应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：24A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：650V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-262

特性

IXTA24N65X2 是一款高性能功率 MOSFET，其核心特性之一是采用了先进的 HEXFET 技术，使得器件在高压应用中仍能保持较低的导通损耗。其最大导通电阻仅为 0.21Ω，确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗和温升。此外，该器件具有出色的雪崩能量承受能力，增强了其在开关过程中对瞬态电压冲击的耐受性，从而提高了整体系统的可靠性。
　　该 MOSFET 的 TO-262 封装形式具有良好的热传导性能，有助于快速散热，使器件在高负载条件下仍能稳定运行。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种标准驱动电路，便于在各种电源设计中使用。IXTA24N65X2 还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而实现更高的系统效率。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的工业标准测试，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境下的电源系统。

应用

IXTA24N65X2 被广泛应用于各种高功率电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和太阳能逆变器。其高电压耐受能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的工业和消费类电子产品中。此外，该器件还可用于电池充电系统、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的电源管理模块。