时间：2025/8/5 22:14:54
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IXTA200N055T2-TRL是一款由Littelfuse公司生产的高电流N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗。该MOSFET特别适用于电源转换器、电机控制、电动车系统以及各种工业自动化设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：55V
最大漏极电流（ID）：200A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.0014Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 3.5V
最大功耗（PD）：350W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-263（D2-PAK）
IXTA200N055T2-TRL采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，使得在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其最大漏源电压为55V，最大漏极电流可达200A，非常适合高电流应用。该器件的栅极阈值电压范围适中，确保了良好的驱动兼容性，同时具备较高的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。此外，该MOSFET内置快速恢复二极管，进一步提升了开关性能，降低了开关损耗。TO-263封装形式使其具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该MOSFET常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）和电动车辆（EV/HEV）系统。由于其高电流能力和低导通电阻，也广泛应用于服务器电源、工业自动化设备、不间断电源（UPS）和储能系统中。在电动车应用中，它可作为主开关或逆变器开关使用，提供高效率和可靠性。此外，在光伏逆变器和储能系统中也可作为主开关元件，实现高效的能量转换。
IXTA200N055T2, IXTA200N055T2-TR
