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IXTA1R6N100D2HV 发布时间 时间:2025/8/6 13:02:04 查看 阅读:28

IXTA1R6N100D2HV是一款由IXYS公司生产的高电压、高频率、双极型晶体管(BJT)器件,适用于高功率和高频应用。该晶体管具有优良的热稳定性和高频性能,广泛用于工业控制、电源转换、射频(RF)放大器和电机驱动等领域。IXTA1R6N100D2HV采用了先进的制造工艺,确保了器件在高电压和高电流工作条件下的可靠性和稳定性。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  最大集电极-发射极电压(Vce):100V
  最大集电极电流(Ic):1.6A
  最大功耗(Ptot):25W
  最大工作频率(fT):100MHz
  封装类型:TO-220AB
  温度范围:-55°C至+150°C
  增益(hFE):典型值为50-300

特性

IXTA1R6N100D2HV具有多种优异的电气和热性能。首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压为100V,最大集电极电流为1.6A,使其能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其次,该器件的最大工作频率达到100MHz,适用于高频应用,如射频放大器和开关电源。此外,IXTA1R6N100D2HV的封装采用TO-220AB标准封装,具有良好的散热性能,确保了器件在高功率条件下的可靠性。
  该晶体管的增益(hFE)典型值为50-300,提供了良好的放大性能,适用于多种放大和开关应用。IXTA1R6N100D2HV的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应了广泛的工作环境,确保了在极端温度条件下的稳定性和可靠性。此外,该器件的热阻(Rth)较低,能够有效地将热量从芯片传导到散热器,提高了器件的使用寿命和稳定性。
  IXTA1R6N100D2HV还具有良好的短路保护能力和抗过载能力,能够在意外情况下保护电路免受损坏。该晶体管的制造工艺采用了先进的硅外延技术,确保了器件的高可靠性和长寿命。

应用

IXTA1R6N100D2HV广泛应用于多种高功率和高频电子设备中。首先,该晶体管常用于开关电源和DC-DC转换器中,作为高频开关元件,提供高效的能量转换。其次,IXTA1R6N100D2HV适用于射频放大器和高频信号放大电路,能够处理高频信号并提供良好的放大性能。此外,该晶体管还可用于电机驱动电路和工业控制系统中,提供稳定的开关和放大功能。
  在音频放大器和功率放大器中,IXTA1R6N100D2HV也可作为功率输出晶体管,提供高功率输出和良好的音质表现。此外,该器件还可用于逆变器和不间断电源(UPS)系统中,作为核心开关元件,确保系统的稳定运行。IXTA1R6N100D2HV的高可靠性和高耐压能力使其在恶劣工作环境下也能保持稳定性能,广泛应用于工业自动化和电力电子领域。

替代型号

IXTA1R6N100D2, IXTA1R8N100D2, IXTA1R6N120D2

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IXTA1R6N100D2HV参数

  • 现有数量200现货
  • 价格1 : ¥37.84000管件
  • 系列Depletion
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 欧姆 @ 800mA,0V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)27 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)645 pF @ 10 V
  • FET 功能耗尽模式
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263HV
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB