IXTA1R6N100D2 时间：2025/12/27 4:06:52 阅读：11

IXTA1R6N100D2是一款由Infineon Technologies（英飞凌）公司生产的高性能碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，采用先进的沟道型碳化硅技术制造。该器件专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计，适用于要求严苛的工业、可再生能源和电动汽车等领域。其额定电压为1000V，典型导通电阻RDS(on)在室温下约为1.6Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统整体能效。器件封装形式为TO-247-3，具备良好的热性能和机械稳定性，便于集成于各类散热设计中。作为碳化硅功率器件，IXTA1R6N100D2相较于传统硅基MOSFET具有更低的开关损耗、更高的开关频率能力和更优的高温性能，有助于实现电源系统的小型化、轻量化和高效化。
　　该器件内部结构优化，具备良好的栅极氧化层可靠性，支持快速开关操作，并具备较强的抗雪崩能力。同时，其正温度系数的导通特性有利于并联使用时的电流均衡。由于采用无引线封装或优化的封装设计，寄生电感较低，进一步提升了高频开关性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色能源和可持续发展项目中的应用需求。

参数

型号：IXTA1R6N100D2
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：SiC MOSFET
　　技术：Silicon Carbide (SiC)
　　漏源电压 V(BR)DSS：1000 V
　　连续漏极电流 ID (@25°C)：1.6 A
　　脉冲漏极电流 IDM：6.4 A
　　导通电阻 RDS(on) (@25°C)：1.6 Ω
　　导通电阻 RDS(on) (@150°C)：2.8 Ω
　　栅极阈值电压 VGS(th)：4.0 V
　　最大栅源电压 VGS max：+25 / -10 V
　　输入电容 Ciss：135 pF
　　输出电容 Coss：38 pF
　　反向恢复时间 trr：≤ 15 ns
　　功耗 Ptot：150 W
　　工作结温范围 TJ：-55 至 +175 °C
　　封装/外壳：TO-247-3

特性

IXTA1R6N100D2所采用的碳化硅材料具有宽禁带特性，使其能够在更高的电压、频率和温度条件下稳定运行。与传统的硅基MOSFET相比，碳化硅MOSFET的电子迁移率更高，饱和漂移速度更快，从而显著降低了导通电阻和开关损耗。这使得器件在高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用中表现出卓越的能效优势。其低RDS(on)值不仅减少了导通期间的能量损耗，还降低了对散热系统的要求，有助于缩小整体系统体积。
　　该器件具备优异的高温工作能力，最大结温可达175°C，远高于普通硅器件的150°C限制。这意味着在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，无需过度依赖复杂的冷却系统。同时，其正温度系数的RDS(on)变化特性使得多个器件并联使用时能够自然实现电流均衡，避免局部过热问题，提高了系统可靠性和扩展性。
　　在开关特性方面，IXTA1R6N100D2具有极低的输入和输出电容，配合优化的封装设计，大幅减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰。其快速的开关响应能力支持MHz级的开关频率，适用于高频谐振变换器和软开关拓扑结构。此外，器件的反向恢复时间极短，几乎无尾电流，显著降低了与体二极管相关的损耗，特别适合用于PFC电路和桥式拓扑中。
　　从可靠性角度看，英飞凌在碳化硅器件的栅极氧化层工艺上进行了深度优化，确保了长期工作的稳定性。器件通过了严格的AEC-Q101等可靠性认证，具备良好的抗湿性、抗热冲击性和长期耐久性。其坚固的TO-247封装提供了优良的散热路径，并兼容现有硅基MOSFET的安装方式，便于系统升级替换。

应用

IXTA1R6N100D2广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于高压DC-DC转换器、服务器电源、电信整流器等设备，利用其低损耗特性提升整体能效等级。在可再生能源系统中，该器件适用于光伏逆变器的DC-AC转换级，尤其是在组串式和微型逆变器中，能够实现更高的转换效率和更小的滤波元件尺寸。
　　在电动汽车充电基础设施方面，IXTA1R6N100D2可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率级设计，支持高频率工作以减小磁性元件体积，并提高充电效率。其高温耐受能力也使其适合在密闭或高温环境中长期运行。
　　此外，在不间断电源（UPS）、储能系统（ESS）以及感应加热设备中，该器件凭借其快速开关能力和低损耗表现，成为提升系统动态响应和能效的关键元件。在高端电机驱动和工业自动化设备中，也可用于构建高效、紧凑的逆变驱动模块。由于其优异的EMI性能，有助于满足严苛的电磁兼容标准，适用于医疗电源和精密仪器供电系统。