时间：2025/8/6 5:08:44
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IXTA1N170DHV是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、高频率的开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于电源管理、直流-直流转换器以及各种高电压控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：1700V
连续漏极电流（ID）：1.2A（在25°C时）
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值2.5Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（D-Pak）
IXTA1N170DHV MOSFET的主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压高达1700V，使其适合用于高电压系统中。此外，该器件的导通电阻较低，最大值为2.5Ω，能够显著降低导通损耗，提高能效。其栅极-源极电压范围为±20V，确保了在宽电压条件下的稳定运行。
该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。同时，IXTA1N170DHV具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定，适用于苛刻的工业环境。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在印刷电路板上，适用于表面贴装技术（SMT）。
该器件的连续漏极电流为1.2A，在高电压应用中能够提供稳定的电流输出。此外，其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其能够在各种极端环境下可靠运行。
IXTA1N170DHV MOSFET广泛应用于高电压电源系统，例如直流-直流转换器、功率因数校正（PFC）电路以及工业控制设备。其高耐压特性使其在太阳能逆变器、电机驱动器以及高压LED照明系统中表现出色。此外，该MOSFET也可用于电信设备和消费类电子产品中的电源管理模块，提供高效能和可靠的功率控制解决方案。
IXTA1N170DHV的替代型号包括IXTA1N160DHV和IXTA1N180DHV，这些型号在电气特性和封装形式上相似，可根据具体应用需求进行选择。
