型号：IXTA1N100
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管类型：N沟道JFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：100V
　　栅源截止电压（VGS(off)）：-0.5V ~ -3.5V
　　跨导（gm）：2000 μS（典型值）
　　连续漏极电流（ID）：50 mA
　　功耗（PD）：350 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　栅极漏电流（IGSS）：±1 nA（最大值）

IXTA1N100具备出色的直流和交流性能，是高性能模拟前端设计中的理想选择。其核心优势之一在于极高的输入阻抗特性，这源于JFET器件本身的结构原理——栅极与沟道之间形成反向偏置的PN结，导致栅极几乎不吸取电流，典型栅极漏电流仅为几皮安（pA）量级，即便在高温环境下也能维持在纳安以下水平。这种特性使得该器件在连接高内阻传感器（如压电传感器、光电二极管或生物电极）时能最大限度减少信号衰减和失真。
　　另一个显著特点是其宽广的工作电压范围。漏源间可承受最高达100V的电压，允许其在高压偏置条件下稳定运行，适用于构建高压共源放大器或电平移位电路。同时，该器件的跨导高达2000微西门子，意味着即使在较小的栅源电压变化下也能产生明显的漏极电流响应，从而实现高效的电压增益转换。这一参数对于低功耗、高灵敏度放大系统尤为重要。
　　热稳定性方面，IXTA1N100表现出较低的参数漂移。由于JFET为电压控制型器件，不存在双极型晶体管中的基极电流温漂问题，因此在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）能够保持稳定的静态工作点，减少了外部补偿电路的需求。此外，SOT-23封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热路径，确保在较高功耗应用中仍可长期可靠运行。
　　该器件还具备优良的噪声性能，尤其是在低频段（<1 kHz）下的闪烁噪声（1/f噪声）远低于多数MOSFET和BJT器件，非常适合用于音频前置放大、锁相放大器和其他对信噪比要求严苛的应用场景。整体来看，IXTA1N100结合了高输入阻抗、低噪声、高电压能力和稳健的温度适应性，使其成为高端模拟电路设计中的关键元件。

IXTA1N100广泛应用于需要高输入阻抗和低噪声放大的模拟电子系统中。一个典型应用场景是在光电检测电路中作为跨阻放大器的输入级，配合光电二极管使用，能够有效捕捉极其微弱的光信号并将其转换为可处理的电压输出，常见于光谱分析仪、激光接收模块和光纤通信前端。
　　在医疗电子领域，该器件常用于生物电信号采集系统，例如心电图（ECG）、脑电图（EEG）和肌电图（EMG）设备的前置放大器。由于生物信号通常具有高源阻抗和微伏级幅值，IXTA1N100的低栅极漏电流和高输入阻抗可以避免信号被分流，从而保证原始生理信息的完整性。
　　在测试与测量仪器中，如示波器探头、高精度万用表输入级和信号发生器缓冲器，IXTA1N100被用来构建电压跟随器或源极跟随器电路，提供高隔离度和低输出阻抗，提升系统的负载驱动能力和频率响应。
　　此外，该器件也适用于音频处理设备中的低噪声前置放大电路，特别是在高端麦克风前置放大器或唱机均衡放大器中，利用其低失真和宽动态范围特性来还原细腻的音频细节。
　　在工业控制系统中，IXTA1N100可用于高电压传感器接口电路，例如压力、温度或位置传感器的信号调理模块，其100V耐压能力允许直接接入高压偏置网络而无需额外保护元件，简化了设计复杂度。总体而言，任何需要高保真信号传输和高阻抗匹配的场合都是IXTA1N100的理想应用领域。

J111, MMBFJ111, 2N5457, MMBF5457, BF862