时间：2025/8/6 7:47:25
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IXTA182N055T是一款由Littelfuse（原International Rectifier）生产的高功率N沟道增强型MOSFET，广泛用于需要高效能功率管理的应用中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力以及出色的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：55V
最大漏极电流(Id)：180A
最大导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ
封装形式：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55°C至175°C
栅极电荷(Qg)：220nC
最大耗散功率(Pd)：250W
IXTA182N055T采用了先进的功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其TO-263封装形式具有良好的散热性能，能够在高电流负载下保持稳定的工作温度。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压条件下的可靠性。
此外，IXTA182N055T的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与多种控制器或驱动器配合使用。其高dv/dt抗扰能力使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提升了整体系统性能。该MOSFET还具备良好的并联能力，适合在多管并联设计中使用，以实现更高功率的输出。
该MOSFET常用于高功率DC-DC转换器、电动车辆的电机控制系统、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等应用。由于其高效的能量转换能力和稳定的热性能，IXTA182N055T在电源管理领域具有广泛的应用前景。
IXTA180N055T, IXTK180N055T
