时间：2025/8/5 16:00:09
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IXTA180N10T7-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备等应用。IXTA180N10T7-TRL 采用 TO-220 封装，便于散热和安装。
型号: IXTA180N10T7-TRL
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (VDS): 100V
最大漏极电流 (ID): 180A
导通电阻 (RDS(on)): 5.8mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压 (VGS(th)): 2.0V ~ 4.0V
最大功耗 (PD): 320W
工作温度范围: -55°C ~ +175°C
封装类型: TO-220
IXTA180N10T7-TRL 功率 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（100V）使得该器件能够在高压环境中稳定工作，适用于多种电源管理和转换应用。该 MOSFET 还具有快速开关速度，降低了开关损耗，提高了系统的整体性能。此外，TO-220 封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流负载下仍能保持稳定运行。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
该器件还具有良好的热稳定性和抗冲击能力，适合在恶劣的工业环境中使用。由于其低栅极电荷（Qg）特性，IXTA180N10T7-TRL 在高频开关应用中表现优异，减少了驱动电路的负担，提高了系统的响应速度。此外，该 MOSFET 内部集成了体二极管，可提供反向电流保护，增强了系统的可靠性。
IXTA180N10T7-TRL 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：直流-直流转换器（DC-DC Converters）、电机驱动器和控制器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业自动化设备以及高功率开关电源（SMPS）。此外，该器件还可用于汽车电子系统、电动工具和家用电器中的功率控制模块。
IXTA180N10T7, IXTA180N10T7PBF, IXTA160N10T7-TRL
