时间：2025/10/22 13:55:19
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IXTA180N085T7是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的Superjunction（超级结）技术设计，属于OptiMOS?产品系列。该器件专为高效率、高密度电源转换应用而优化，广泛应用于服务器电源、电信电源系统、工业电源以及太阳能逆变器等对能效和热性能要求严苛的场合。其主要特点是低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关特性以及高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。IXTA180N085T7封装在TO-263（D2PAK）表面贴装封装中，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于在大电流应用中实现自动化生产和高效散热管理。该MOSFET的漏源电压（VDS）为85V，连续漏极电流（ID）高达180A，导通电阻在低栅源电压下仅为4.3mΩ（典型值），这使得它在大电流低电压DC-DC转换器中表现出色，显著降低导通损耗，提升整体系统效率。此外，该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而支持更紧凑的电源设计。
型号：IXTA180N085T7
制造商：Infineon Technologies
产品系列：OptiMOS?
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：85V
连续漏极电流（ID）@25°C：180A
脉冲漏极电流（IDM）：540A
导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：4.3mΩ（典型值）
导通电阻RDS(on) @ VGS=10V, 175°C：6.8mΩ
栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
栅极电荷（Qg）@10V：245nC（典型值）
输入电容（Ciss）：11600pF @ VDS=42.5V
反向恢复时间（trr）：27ns
最大功耗（PD）：347W @ TC=25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
封装/包装：TO-263（D2PAK）
安装类型：表面贴装（SMD）
IXTA180N085T7基于英飞凌领先的OptiMOS?技术平台，采用了优化的超级结结构，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。这种结构通过精确控制P型和N型柱状区域的掺杂分布，大幅降低了器件的导通损耗，同时保持了高击穿电压能力。其RDS(on)在常温下仅为4.3mΩ，远低于传统平面或沟槽MOSFET，这意味着在大电流应用中产生的热量更少，从而减少了对复杂散热系统的需求，提高了系统的功率密度。此外，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg = 245nC），这一特性对于高频开关应用至关重要，因为它可以显著降低驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，减少开关过渡过程中的能量损耗。同时，其较低的输出电容（Coss）也有助于减少关断时的能量损耗，进一步提升转换效率。
另一个关键优势是其出色的热稳定性。IXTA180N085T7可在高达+175°C的结温下持续工作，确保在高温环境或高负载条件下仍能保持可靠运行。该器件的封装采用TO-263（D2PAK）形式，具有较大的焊盘面积和良好的热传导路径，能够有效将芯片产生的热量传递至PCB，从而提升整体散热效率。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和坚固的体二极管结构，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供更好的保护，增强系统鲁棒性。其阈值电压范围适中（2.0V~3.0V），兼容标准逻辑电平驱动信号，适用于多种PWM控制器和栅极驱动器。总之，IXTA180N085T7凭借其卓越的电气性能、高可靠性和先进的封装技术，成为现代高效电源系统中的理想选择。
IXTA180N085T7广泛用于需要高电流、高效率和高可靠性的电源转换系统中。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）及POL（点负载）转换器，这些场景对动态响应速度和能效有极高要求。在通信电源系统中，如48V转12V中间母线转换器，该器件可作为同步整流开关使用，显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，在工业电源设备中，如高功率DC-DC变换器、UPS不间断电源和电机驱动控制系统，IXTA180N085T7也能发挥其大电流承载能力和快速开关特性的优势。太阳能微逆变器和储能系统中的DC-AC逆变桥臂同样受益于其低RDS(on)和优良的热性能，有助于延长系统寿命并提升能量转化率。在电动汽车充电基础设施中，该MOSFET可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块的辅助电源部分。由于其表面贴装封装形式，适合自动化贴片生产，因此也常见于批量制造的高端电源模块中。总之，任何需要在85V电压范围内实现高效、高功率密度电能转换的应用，都是IXTA180N085T7的理想用武之地。
IXTH180N085T7
IXTK180N085T
