IXTA16N50P 时间：2025/12/27 3:08:33 阅读：10

IXTA16N50P是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET晶体管，专为高效率开关电源和功率控制应用设计。该器件采用先进的平面栅极MOSFET技术制造，能够在高达500V的漏源电压下稳定工作，并提供出色的导通电阻和开关性能。IXTA16N50P特别适用于需要高可靠性和热稳定性的工业和消费类电子设备中。
　　该MOSFET封装在TO-247形式中，具有优良的散热性能，适合高功率密度的设计需求。其引脚配置为标准三引脚（栅极G、漏极D、源极S），便于在PCB布局或模块化设计中安装。由于其高耐压特性，IXTA16N50P广泛用于离线式开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路以及照明镇流器等应用场合。
　　此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层结构，增强了在恶劣工作环境下的耐用性。内部设计优化了电荷载流子迁移路径，从而降低了导通损耗并提高了整体系统效率。为了防止静电放电（ESD）损伤，建议在操作过程中采取适当的防静电措施。同时，在实际应用中通常需配合合适的栅极驱动电路以确保快速且稳定的开关动作，避免因米勒效应引起的误触发问题。

参数

型号：IXTA16N50P
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：16 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：64 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4 V typical, 5 V max @ Id = 250 μA
　　输入电容（Ciss）：1500 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：470 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　最大功耗（Ptot）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C to +150 °C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTA16N50P具备多项优异的电气与热力学特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。首先，其500V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下仍能安全运行，适用于全球通用输入电压范围（如90–265V AC）的电源设计。其次，该器件在Vgs=10V时典型的导通电阻仅为0.28Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg约65nC），这意味着它可以在高频开关条件下工作而不会产生过高的驱动损耗，适用于硬开关和软开关拓扑结构，例如PFC（功率因数校正）、LLC谐振变换器和半桥/全桥转换器。此外，其输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss）之间的平衡良好，有助于减少米勒平台效应带来的不稳定风险。
　　热稳定性方面，TO-247封装提供了较大的散热接触面积，允许通过散热片将热量高效传导至外部环境，从而延长器件寿命并提高长期可靠性。器件还具备较强的抗雪崩能量能力，可在非钳位感性负载切换过程中承受瞬态过压冲击，避免损坏。
　　在安全性和保护机制上，IXTA16N50P拥有较高的栅源电压容忍度（±30V），降低了因驱动信号异常导致栅氧击穿的风险。同时，其较宽的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端温度环境中稳定运行，适用于工业自动化、户外电源设备及车载电力系统等多种严苛应用场景。
　　综上所述，IXTA16N50P凭借其高性能参数组合、稳健的封装设计和广泛的适用性，已成为众多工程师在开发高效、紧凑型电源系统时的重要元器件选项之一。

应用

IXTA16N50P广泛应用于多种高功率开关电源和电力电子系统中。典型应用包括：开关模式电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、电子镇流器、感应加热设备以及太阳能光伏逆变器等。
　　在离线式反激或正激拓扑中，该MOSFET常作为主开关管使用，能够高效地将交流电网电压转换为稳定的直流输出。在功率因数校正（PFC）电路中，其低Rds(on)和高耐压特性有助于实现更高的能效等级和更低的总谐波失真（THD）。
　　此外，由于其具备良好的高频响应能力和热管理性能，IXTA16N50P也常被用于工业电机控制和自动化设备中，用作功率开关元件来控制电机启停与调速。在照明领域，尤其是高强度气体放电灯（HID）和LED驱动电源中，该器件可用于构建高效的谐振或准谐振驱动电路。
　　在可再生能源系统中，如小型风力发电或太阳能微逆变器中，IXTA16N50P可用于DC-AC逆变环节，将电池或太阳能板产生的直流电转换为可供家庭或电网使用的交流电。其高可靠性和抗干扰能力保证了系统在复杂电磁环境下的稳定运行。