时间：2025/8/5 19:03:44
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IXTA110N055T2-TRL是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，专为高电流、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于各种电源管理和功率转换电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：110A
最大漏-源电压（Vds）：55V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
安装类型：通孔安装
功率耗散（Pd）：150W
IXTA110N055T2-TRL具备多个显著特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以降低导通损耗，提高系统效率。其高电流容量（110A）和55V的漏-源电压能力使其适用于多种高功率应用场景。该MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供优异的开关性能和热稳定性。
此外，该器件的封装设计（TO-220AB）具备良好的散热能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持4V至10V的栅极驱动电压，便于与不同类型的驱动电路兼容。
其高雪崩能量能力确保在高应力条件下仍能稳定运行，增强了器件的耐用性和稳定性。该MOSFET还具备低输入电容和输出电容，减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
IXTA110N055T2-TRL广泛应用于多种高功率电子设备和系统中，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、逆变器以及工业自动化和控制系统。该器件的高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理电路中。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统、车载充电器和电机控制模块。此外，它还可用于太阳能逆变器、储能系统和各种工业电源设备。
IXTA110N055T2-TRL的替代型号包括IXTA110N055T2和IXTA110N055T2STRL，这些型号在电气特性和封装方面具有相似的设计，可直接替换使用。
