型号：IXTA100N04
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：100A
　　脉冲漏极电流（IDM）：400A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：3.8mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：5.2mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型2.2V，范围1.8~2.6V
　　输入电容（Ciss）：典型值7000pF @ VDS=20V
　　输出电容（Coss）：典型值1800pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值30ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263 (D2Pak)

IXTA100N04具备极低的导通电阻，典型值在VGS=10V时仅为3.8mΩ，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使其特别适用于高电流密度的设计，例如大功率DC-DC转换器和电池管理系统中的电流开关。低RDS(on)还意味着在相同功耗条件下，器件温升更小，从而增强了系统的热稳定性与长期可靠性。
　　该器件采用TO-263表面贴装封装，具有优良的散热性能，能够通过PCB上的散热焊盘有效传导热量，适合自动化装配流程。封装设计支持高功率密度布局，同时便于实现多管并联以进一步提升电流处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境温度下的稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　IXTA100N04具备良好的开关特性，输入电容（Ciss）约为7000pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动功率需求。配合快速的开关速度，可有效减少开关过渡期间的能量损耗，尤其在PWM控制电路中优势明显。体二极管的反向恢复时间较短（典型30ns），减少了在感性负载关断时的反向恢复电荷损耗，降低了电磁干扰（EMI）风险，提升了系统效率。
　　该MOSFET的栅极阈值电压较低且一致性好，可在4.5V至10V的VGS范围内可靠导通，兼容常见的逻辑电平驱动信号，包括来自微控制器或专用驱动IC的输出。这使得它在低压大电流应用中尤为适用，如48V转12V电源模块或电动车辆的辅助电源系统。此外，器件具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持结构完整性，提升了系统鲁棒性。

IXTA100N04广泛应用于多种高功率电子系统中。在工业电源领域，常用于同步整流型DC-DC变换器，作为主开关或同步整流管，利用其低导通电阻实现高效率能量转换。在电机驱动系统中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，其高电流承载能力和快速响应特性确保了精确的运动控制。
　　在新能源应用方面，IXTA100N04适用于太阳能微逆变器、储能系统中的充放电控制电路，以及电动汽车的车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块。其高可靠性和宽温度范围适应性满足了严苛环境下的运行需求。此外，在大功率LED照明驱动电源中，该MOSFET可作为主开关元件，实现恒流输出与高效调光功能。
　　在消费类与便携式设备中，如高性能电动工具、无人机动力系统和大容量移动电源，IXTA100N04用于电池接口的功率开关，提供低损耗的通路控制。其表面贴装封装也便于现代高密度PCB设计，支持自动化生产，降低制造成本。在电信与服务器电源系统中，该器件可用于VRM（电压调节模块）或多相降压转换器中，满足处理器供电的大电流、低电压需求。

IXTH100N04, IXTK100N04, IRF1404, FDP1404, CSD19436